AOK60B65H2AL / K60B65H2A
IGBT 650V 60A 166W
Popis a parametry:
Výrobce: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Typ tranzistoru: IGBT
Napětí kolektor-emitor: 650V
Proud kolektoru: 60A
Ztrátový výkon: 166W
Kryt: TO247
Napětí hradlo - emitor: ±30V
Impulsní proud kolektoru: 180A
Montáž: THT
Náboj hradla: 84nC
Druh balení: tuba
Doba přítahu: 113ns
Doba odpadu: 270ns
Saturační napětí kol.-emit.: 1,95V
Vypínací energie: 1,17mJ
Zapínací energie: 2,36mJ