Kód zboží:
2000307300
Výrobce:
Infineon
EAN:
Dostupnost:
Hlavní sklad:
ihned k odeslání
na prodejně 12 ks
Cena bez DPH:
31,46 Kč
Cena s DPH:
38,07 Kč
Lze objednat jen 12 ks
Výrobce INFINEON TECHNOLOGIES
Typ tranzistoru N-MOSFET
Technologie HEXFET®
Polarizace unipolární
Napětí drain-source 30V
Proud drainu 62A
Ztrátový výkon 65W
KrytTO220AB
Napětí gate-source ±20V
Odpor v sepnutém stavu 8,7mΩ
Montáž THT
Náboj hradla 7,6nC
Druh kanálu obohacený
IRLB8721 / IRLB8721PBF
N-FET 30V 62A 65W 0J009
Výrobce INFINEON TECHNOLOGIES
Typ tranzistoru N-MOSFET
Technologie HEXFET®
Polarizace unipolární
Napětí drain-source 30V
Proud drainu 62A
Ztrátový výkon 65W
KrytTO220AB
Napětí gate-source ±20V
Odpor v sepnutém stavu 8,7mΩ
Montáž THT
Náboj hradla 7,6nC
Druh kanálu obohacený
IRLB8721 / IRLB8721PBF
N-FET 30V 62A 65W 0J009
Výrobce INFINEON TECHNOLOGIES
Typ tranzistoru N-MOSFET
Technologie HEXFET®
Polarizace unipolární
Napětí drain-source 30V
Proud drainu 62A
Ztrátový výkon 65W
KrytTO220AB
Napětí gate-source ±20V
Odpor v sepnutém stavu 8,7mΩ
Montáž THT
Náboj hradla 7,6nC
Druh kanálu obohacený