Kód zboží:
2000163400
Výrobce:
Vishay
ASWO:
199741
EAN:
Dostupnost:
Ihned k odeslání
Skladem na prodejně > 25 ks
Cena bez DPH:
26,43 Kč
Cena s DPH:
31,98 Kč
Lze objednat jen 26 ks
IRF530NPBF
Výrobce Infineon (IRF)
Typ tranzistoru N-MOSFET
Polarizace unipolární
Napětí drain-source 100V
Proud drainu 17A
Výkon 79W
Pouzdro TO220AB
Napětí gate-source ±20V
Odpor v sepnutém stavu 90mΩ
Tepelný odpor přechod-pouzdro 1.9K/W
Montáž THT
Náboj hradla 24.7nC
Technologie HEXFET®
IRF530
N-FET 100V 17A 90W 0J09
IRF530NPBF
Výrobce Infineon (IRF)
Typ tranzistoru N-MOSFET
Polarizace unipolární
Napětí drain-source 100V
Proud drainu 17A
Výkon 79W
Pouzdro TO220AB
Napětí gate-source ±20V
Odpor v sepnutém stavu 90mΩ
Tepelný odpor přechod-pouzdro 1.9K/W
Montáž THT
Náboj hradla 24.7nC
Technologie HEXFET®
IRF530
N-FET 100V 17A 90W 0J09
IRF530NPBF
Výrobce Infineon (IRF)
Typ tranzistoru N-MOSFET
Polarizace unipolární
Napětí drain-source 100V
Proud drainu 17A
Výkon 79W
Pouzdro TO220AB
Napětí gate-source ±20V
Odpor v sepnutém stavu 90mΩ
Tepelný odpor přechod-pouzdro 1.9K/W
Montáž THT
Náboj hradla 24.7nC
Technologie HEXFET®