SPA11N80C3
MOS N-FET 800V 11A 41W 0J45, izolované pouzdro TO-220FP
SPA11N80C3 je výkonový N-kanálový MOSFET tranzistor.
Je určený pro spínané zdroje, výkonové měniče, průmyslovou elektroniku, napájecí zdroje, invertory a další vysokonapěťové spínací aplikace.
Tranzistor nabízí maximální napětí 800 V, trvalý proud až 11 A a nízký odpor v sepnutém stavu RDS(on) max. 0,45 Ω při teplotě přechodu 25 °C. Vyznačuje se nízkým nábojem hradla, vysokou odolností vůči rychlým změnám napětí dv/dt a schopností pracovat ve vysokonapěťových spínacích obvodech.
Provedení TO-220FP / FullPAK má elektricky izolovanou montážní plochu, což může zjednodušit konstrukci a chlazení zařízení. Před náhradou součástky vždy ověřte zejména typ pouzdra, zapojení vývodů, parametry napětí, proudu, RDS(on) i požadavky konkrétního obvodu.
Hlavní parametry
Výrobce: Infineon Technologies
Označení: SPA11N80C3
Typ: výkonový MOSFET, N-kanál
Technologie: CoolMOS™
Maximální napětí Drain–Source (VDS): 800 V
Maximální trvalý proud Drain (ID): 11 A
RDS(on) max.: 0,45 Ω
Pouzdro: TO-220FP / izolované FullPAK
Vhodné použití: spínané zdroje, napájecí moduly, průmyslové zdroje, měniče a výkonová elektronika.