STW10NK80Z výkonový mosfet TO-247
N‑kanálový MOSFET 800V 9A 0.9Ω TO247
STW10NK80Z je vysokonapěťový výkonový tranzistor N‑MOSFET od výrobce STMicroelectronics, vyrobený technologií SuperMESH™. Je určený pro spínané zdroje, výkonové měniče, napájecí moduly, svařovací techniku, LED zdroje a další elektronické spínací aplikace s vysokým napětím.
MOSFET má maximální napětí mezi drainem a sourcem 800 V, trvalý proud drainu až 9 A a maximální odpor otevřeného kanálu RDS(on) 0,9 Ω při buzení hradla 10 V. Pouzdro TO‑247 umožňuje snadnou montáž do desky plošných spojů i upevnění na chladič. Integrovaná Zenerova ochrana hradla zvyšuje odolnost tranzistoru proti napěťovým špičkám.
Technické parametry:
Označení výrobce: STW10NK80Z
Výrobce: STMicroelectronics
Typ: výkonový unipolární tranzistor MOSFET
Kanál: N‑channel
Technologie: SuperMESH™
Maximální napětí drain–source: 800 V
Trvalý proud drainu: 9 A
Odpor sepnutého kanálu RDS(on): max. 0,9 Ω, typicky 0,78 Ω
Maximální ztrátový výkon: 160 W
Maximální napětí gate–source: ±30 V
Pouzdro: TO‑247, 3 vývody
Montáž: THT / průchozí montáž
Provedení: Zenerem chráněný MOSFET
Využití: spínané napájecí zdroje, výkonové spínání a vysokonapěťové měniče
Před výměnou ověřte zapojení vývodů, parametry původního MOSFETu, způsob chlazení a požadované spínací vlastnosti obvodu.