FQPF7N65C
N-FET 650V 7A 52W 1J4
Výrobce: ONSEMI
Typ tranzistoru: N-MOSFET
Polarizace: unipolární
Napětí drain-source: 650V
Proud drainu: 4,2A
Impulsní proud kolektoru: 28A
Ztrátový výkon: 52W
Kryt: TO220FP
Napětí gate-source: ±30V
Odpor v sepnutém stavu: 1,4Ω
Montáž: THT
Náboj hradla: 36nC