N-FET 100V 57A 200W 0J025
Kód zboží:
2000233300
ASWO:
EAN:
Dostupnost:
Ihned k odeslání
Skladem na prodejně 23 ks
Cena bez DPH:
34,56 Kč
Cena s DPH:
41,82 Kč
Lze objednat jen 23 ks
Výrobce Infineon (IRF)
Typ tranzistoru N-MOSFET
Polarizace unipolární
Druh tranzistoru HEXFET
Napětí drain-source 100V
Proud drainu 57A
Výkon 200W
Pouzdro TO220AB
Napětí gate-source 20V
Odpor v sepnutém stavu 23mΩ
Tepelný odpor přechod-pouzdro 0.75K/W
Montáž THT
Náboj hradla 86.7nC
IRF3710PBF
N-FET 100V 57A 200W 0J025
Výrobce Infineon (IRF)
Typ tranzistoru N-MOSFET
Polarizace unipolární
Druh tranzistoru HEXFET
Napětí drain-source 100V
Proud drainu 57A
Výkon 200W
Pouzdro TO220AB
Napětí gate-source 20V
Odpor v sepnutém stavu 23mΩ
Tepelný odpor přechod-pouzdro 0.75K/W
Montáž THT
Náboj hradla 86.7nC
IRF3710PBF
N-FET 100V 57A 200W 0J025
Výrobce Infineon (IRF)
Typ tranzistoru N-MOSFET
Polarizace unipolární
Druh tranzistoru HEXFET
Napětí drain-source 100V
Proud drainu 57A
Výkon 200W
Pouzdro TO220AB
Napětí gate-source 20V
Odpor v sepnutém stavu 23mΩ
Tepelný odpor přechod-pouzdro 0.75K/W
Montáž THT
Náboj hradla 86.7nC