N-FET 100V 57A 200W 0J025
Kód zboží:
2000233300
ASWO:
EAN:
Dostupnost:
Ihned k odeslání
Skladem na prodejně > 25 ks
Cena bez DPH:
35,7 Kč
Cena s DPH:
43,2 Kč
Lze objednat jen 41 ks
Výrobce Infineon (IRF)
Typ tranzistoru N-MOSFET
Polarizace unipolární
Druh tranzistoru HEXFET
Napětí drain-source 100V
Proud drainu 57A
Výkon 200W
Pouzdro TO220AB
Napětí gate-source 20V
Odpor v sepnutém stavu 23mΩ
Tepelný odpor přechod-pouzdro 0.75K/W
Montáž THT
Náboj hradla 86.7nC
IRF3710PBF
N-FET 100V 57A 200W 0J025
Výrobce Infineon (IRF)
Typ tranzistoru N-MOSFET
Polarizace unipolární
Druh tranzistoru HEXFET
Napětí drain-source 100V
Proud drainu 57A
Výkon 200W
Pouzdro TO220AB
Napětí gate-source 20V
Odpor v sepnutém stavu 23mΩ
Tepelný odpor přechod-pouzdro 0.75K/W
Montáž THT
Náboj hradla 86.7nC
IRF3710PBF
N-FET 100V 57A 200W 0J025
Výrobce Infineon (IRF)
Typ tranzistoru N-MOSFET
Polarizace unipolární
Druh tranzistoru HEXFET
Napětí drain-source 100V
Proud drainu 57A
Výkon 200W
Pouzdro TO220AB
Napětí gate-source 20V
Odpor v sepnutém stavu 23mΩ
Tepelný odpor přechod-pouzdro 0.75K/W
Montáž THT
Náboj hradla 86.7nC